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Transistor IRF520NPEF MOSFET Canal N

BT0999F

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IRF520NPEF  Transistor MOSFET, Canal N, 9.7 A, 100 V, 200 mohm, 10 V, 4 V

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  • Intensidad Drenador Continua Id: 9.7A
  • Diseño de Transistor: TO-220AB
  • Disipación de Potencia Pd: 47W
  • Tensión Drenaje-Fuente Vds: 100V
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): -
  • Núm. de Contactos: 3
  • Resistencia de Activación Rds(on): 0.2ohm
  • Temperatura de Trabajo Máx.: 175°C
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
  • Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): No SVHC (15-Jun-2015)
  • Tensión Umbral Vgs: 4V
  • Transistor, Polaridad: Canal N

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Transistor IRF520NPEF MOSFET Canal N

IRF520NPEF  Transistor MOSFET, Canal N, 9.7 A, 100 V, 200 mohm, 10 V, 4 V

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